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本发明公开了一种自对准双重图形化的方法，其中，在硅片上生长待刻蚀层；在待刻蚀层表面依次形成抗反射层和光刻胶，对光刻胶曝光显影形成光刻胶图形；用烷基化试剂进行烷基化处理，在光刻胶图形的顶部、侧面及抗反射层表面形成烷基化层；回刻烷基化层，露出光...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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