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一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法技术
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文档序号:21304470
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本发明为一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法,即在圆柱漂移管z0≤z≤z1范围内,施加沿‑r方向的径向电场,在均匀磁场的约束下,电子进行拉莫尔回旋运动,经过施加局部电场的区域时,径向电场对电子做功以改变电子束径向振荡,当电子进入局部电场...
该专利属于西北核技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过西北核技术研究所授权不得商用。
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