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一种全隔离结构9管SRAM存储单元及其读写操作方法，存储单元在传统6管SRAM存储单元基础上，增加了读通路隔离管，采用独立的读位线和写位线，实现读写通路分离，增加了写通路列选通管和读通路列选通管。由于增加了列字线对访问的存储单元进行精确控制...
该专利属于西安微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西安微电子技术研究所授权不得商用。

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