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本发明涉及一种制备高热导率氮化硅陶瓷的方法，包括：将α‑Si3N4粉体和烧结助剂混合均匀，压制成型制得坯体；将所述坯体在惰性气氛下于1780℃～1950℃进行气压烧结，然后冷却至室温，得到所述氮化硅陶瓷；所述烧结助剂由硅化物和碱土金属氧化物...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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