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公开了一种发光器件，其包括半导体结构，该半导体结构具有设置在n型层和p型层之间的有源区；波长转换器，其在半导体结构上方形成；绝缘侧覆层，其在半导体结构周围形成；以及反射侧覆层，其在波长转换器周围、绝缘侧覆层上方形成，该反射侧覆层具有与波长转...
该专利属于亮锐有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过亮锐有限责任公司授权不得商用。

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