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本技术涉及特性改善的光接收元件、成像元件和成像装置。根据本发明的光接收元件包括片上透镜；配线层；和配置在所述片上透镜和所述配线层之间的半导体层。所述半导体层包括被施加第一电压的第一电压施加部，被施加不同于第一电压的第二电压的第二电压施加部，...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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