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制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法技术
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下载制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法的技术资料
文档序号:21276030
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公开了制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法。包括在半导体衬底上形成第一导电类型的第一场终止区带部分。在第一场终止区带部分上形成第一导电类型的漂移区带。漂移区带的平均掺杂浓度小于第一场终止区带部分的平均掺杂浓度的8...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。
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