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本发明涉及一种垂直磁性隧道结多层膜结构，包括基片层，所述基片层的化学性能稳定且表面平整；势垒层，所述势垒层包括非磁氧化物；铁磁层，所述铁磁层包括至少一个合金层；附加层，所述附加层包括Mo；其中，所述附加层是设置在所述基片层与所述铁磁层之间的...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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