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本发明公开的是一种具有GaN/纳米空腔的蓝光发光二极管的制备方法，具体包括以下步骤：步骤1、在电解液中，对生长在c‑面蓝宝石衬底上的n‑GaN/n...
该专利属于西安工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安工程大学授权不得商用。

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