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本发明涉及一种基于二维材料制备的场效应晶体管，包括从下到上依次布置的衬底、上表面具有下凹槽的二氧化硅介质层、以及布置在二氧化硅介质层上并覆盖住所述下凹槽的二维材料层，在二维材料层沿下凹槽走向的两端部区域分别设置有一个有机材料体，在二维材料层...
该专利属于上海电力学院所有，仅供学习研究参考，未经过上海电力学院授权不得商用。

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