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本发明公开的一种晶圆背面减薄金属化方法，包括如下步骤：(1)在晶圆的P型硅衬底上面外延N+型硅外延层和N‑型外延层；N+型硅外延层最终要作为器件的一个电极；N‑型硅外延层作为器件的有源区域；(2)在N‑型硅外延层的上表面制作器件的正面结构；...
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