温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开了一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构。包括耗尽型金属氧化物半导体晶体管M1~Mn、具有低开启电压特性肖特基二极管D1以及晶体管栅极限流电阻R1~Rn。M1漏极连接D1负极，M1栅极通过串联限流电阻R1连接D1正极。晶...
该专利属于苏州芯智瑞微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州芯智瑞微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。