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本实用新型涉及一种磁阻尼缓降装置。本实用新型所述的磁阻尼缓降装置包括：缓降基、第一磁阵列、第二磁阵列以及缓降体，所述缓降体上开设有通孔，所述第一磁阵列和所述第二磁阵列对称设置在所述通孔内，所述第一磁阵列和所述第二磁阵列之间形成磁通道，所述缓...
该专利属于袁哲所有，仅供学习研究参考，未经过袁哲授权不得商用。

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