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实施方式涉及制造包括用作形成附加GaN材料的模板的薄的高质量单晶GaN层的晶片。对GaN材料的块状锭进行植入以形成次表面裂开区域。将植入的块状材料粘合到具有晶格和/或与GaN相容的热膨胀系数(CTE)特性的基底。这种基底材料的实例可包括但不...
该专利属于QMAT股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过QMAT股份有限公司授权不得商用。

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