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本发明公开了一种适用于选择性发射极的扩散方法,所述扩散方法包括多次沉积和多次驱入,且从所述步骤二第一次驱入开始,炉管内的温度开始降低。本发明中使用的三步扩散沉积及驱入的方式,使得硅片表面形成含磷浓度高的PSG层,有利于重掺杂时将PSG中的磷...该专利属于韩华新能源(启东)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过韩华新能源(启东)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种适用于选择性发射极的扩散方法,所述扩散方法包括多次沉积和多次驱入,且从所述步骤二第一次驱入开始,炉管内的温度开始降低。本发明中使用的三步扩散沉积及驱入的方式,使得硅片表面形成含磷浓度高的PSG层,有利于重掺杂时将PSG中的磷...