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一种半导体器件及其形成方法和半导体结构，半导体器件的形成方法包括：提供基底，包括具有沟槽的衬底、位于沟槽之间的衬底上的浮置栅层、以及位于浮置栅层上的硬掩膜层；在浮置栅层的侧壁上形成保护层；形成保护层后，在沟槽内形成隔离结构；形成隔离结构后，...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。