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EUV光刻用防护膜及其制造方法技术
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文档序号:21139755
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本发明公开了一种极紫外(EUV)光刻用防护膜。该防护膜可以包括:支撑层图案,其通过蚀刻支撑层而形成;防护膜层,其形成在所述支撑层图案上;和蚀刻停止层图案,其形成在所述支撑层图案与所述防护膜层之间,并且在蚀刻所述支撑层时通过对停止蚀刻的蚀刻停...
该专利属于思而施技术株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过思而施技术株式会社授权不得商用。
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