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本发明公开了一种正向晶格失配三结太阳电池，属于太阳能电池技术领域，自下而上依次包括：锗衬底、Ga0.5In0.5P成核层、Ga0.99In0.01As缓冲层、第一隧道结、晶格渐变缓冲层、Ga1‑xInxAs电池、第二隧道结、(AlGa)1‑...
该专利属于中国电子科技集团公司第十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十八研究所授权不得商用。

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