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本发明实施例公开了一种分栅结构的功率晶体管，包括源极、漏极、第一栅极、第二栅极、第三栅极、体二极管和体区接触二极管，所述体二极管的阴极与所述漏极连接，所述体区接触二极管的阳极与所述体二极管的阳极连接，所述体区接触二极管的阴极与所述源极连接，...
该专利属于苏州东微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州东微半导体有限公司授权不得商用。

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