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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在源漏凹槽中形成第一应力种子层后，先至少对所述第一应力种子层的表层进行离子注入，再在所述第一应力种子层上形成第二应力种子层，所述第一应力种子层能够为第二应力种子层提供较圆滑的接触界面，且所述第一应力种子...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。