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本发明提供一种能够提高边缘终端区的雪崩耐量的半导体装置。在边缘终端区(2)中，在有源区(1)与栅极流道部(4)之间的载流子抽出区(5)，在p型阱区(51)的表面区域设置p...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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