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本发明公开一种制作动态随机存储器的埋入式字符线的方法，其主要先形成一凹槽于基底内，然后形成一阻障层于凹槽内，进行一浸入式(soak)制作工艺，由此降低阻障层内的氯浓度，之后再形成一导电层并填满凹槽。...
该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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