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本发明提供一种芯片堆叠结构及其形成方法，通过依次错位层叠多个一端具有晶片连接端子的晶片，且在层叠过程中保证相邻两层晶片中的上层晶片的末端暴露出下层晶片的晶片连接端子的部分表面或者全部表面，相邻两层晶片之间进一步使用传统的粘合剂来代替DAF，...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。