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本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，该半导体装置的制作方法包括下列步骤，在半导体基底的核心区与输入/输出区上分别形成第一堆叠结构与第二堆叠结构。第一堆叠结构包括第一图案化氧化物层、第一图案化氮化物层与第一虚置栅极。第二堆叠结构包括第二图...
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