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一种调控硼碳氮薄膜中氮化硼晶体生长的方法技术
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文档序号:21109643
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本发明涉及薄膜材料领域,提供了一种调控硼碳氮薄膜中氮化硼晶体生长的方法,包括以下步骤:(1)提供分布有金刚石籽晶的基底;(2)在基底的金刚石籽晶表面进行磁控溅射,得到含有氮化硼晶体的硼碳氮薄膜;所述步骤(2)中磁控溅射的靶材为含碳的氮化硼靶...
该专利属于吉林大学所有,仅供学习研究参考,未经过吉林大学授权不得商用。
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