温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体芯片制造领域中使用的大宗气体的纯化。一种氮气、氩气、氧气超纯纯化工艺，催化氧化工序：采用以金属氧化物作为载体担钯的氧化催化剂，原料气体经过加热到300摄氏度后进入催化反应器，原料气中的甲烷、一氧化碳、氢气、和非甲烷烃类被氧化...
该专利属于华谊高新纯化技术（大连）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华谊高新纯化技术（大连）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。