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本发明公开了一种梯度磁场微流控芯片，包括盖片和基片，盖片位于基片的正上方，基片的一表面上镀有导电薄膜，基片镀有导电薄膜的表面上设有具有磁性梯度变化的磁性结构，盖片下表面上设有流体沟道，流体沟道上与磁性结构对应的位置处设有捕获区，捕获区呈膨大...
该专利属于武汉纺织大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉纺织大学授权不得商用。

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