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本发明公开了一种带保护电路的紫光垂直结构LED芯片及其制备方法，在单个芯片上隔离出部分外延层，使用光刻工艺将主发光区的P电极和保护区的N电极连接，将主发光区的N电极和保护区的P电极连接，在不改变外延层结构的基础上牺牲部分发光区面积构造ESD...
该专利属于中联西北工程设计研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中联西北工程设计研究院有限公司授权不得商用。

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