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本发明属于光探测技术领域，具体涉及一种光电探测器，该光电探测器由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd前电极、SnSe薄膜层、Si单晶基底和金属In背电极。SnSe薄膜层是利用磁控溅射方法制备的。测试结果显示，所制备薄膜器件表现出良好的自驱...
该专利属于中国石油大学（华东）所有，仅供学习研究参考，未经过中国石油大学（华东）授权不得商用。

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