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本发明公开了一种增强蓝光型硅基雪崩光电二极管阵列，所述雪崩光电二极管为SACM型APD，包括衬底以及设于衬底底部的阳极，所述衬底上表面设有凹槽，所述凹槽中自下而上依次包括：阴极、非耗尽层、倍增层和场控层，且阴极、非耗尽层、倍增层以及场控层与...
该专利属于暨南大学所有，仅供学习研究参考，未经过暨南大学授权不得商用。

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