温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种快闪存储器及其形成方法，快闪存储器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括源线区和浮栅区，所述浮栅区与源线区邻接且位于源线区两侧；位于所述半导体衬底源线区内的源区；位于所述源区上的源线层，所述源线层与源区电连接；分别位于半导体衬底的浮栅区上...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。