温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种阈值电压稳定的电子辐照快恢复SJ‑VDMOS制备方法，步骤如下：取N+衬底；在N+衬底上生长N型外延层；对这层N型外延层进行电子辐照，形成N型辐照外延层；在N型辐照外延层上继续生长另一层N型外延层，并由所述N型辐照外延层与所述另一层N型...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。