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本发明揭示了一种碳化硅器件的栅氧结构，栅氧结构由第一SiO2层和第二SiO2层夹持PSG层构成。本发明通过制备三明治结构的栅氧，优化栅氧厚度，结合NO退火与PSG回流为一工艺，退火过程N与扩散至界面，改善了SiC/SiO2界面态密度，从而提...
该专利属于芜湖启迪半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖启迪半导体有限公司授权不得商用。

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