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光阻结构及晶圆曝光装置制造方法及图纸
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文档序号:21092947
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本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种光阻结构及晶圆曝光装置。本所述光阻结构包括:光敏层,包括用于覆盖晶圆的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,且能够吸收自所述第二表面射入的第一光线;量子点,掺杂于所述光敏层中,适于在所述第一...
该专利属于德淮半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。
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