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P型单晶硅电池背面及在其应用隧穿氧钝化接触的方法技术
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下载P型单晶硅电池背面及在其应用隧穿氧钝化接触的方法的技术资料
文档序号:21063667
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本发明公开了一种P型单晶硅电池背面,包括:刻蚀完成后的硅片和金属层,所述刻蚀完成后的硅片和所述金属层之间设有氧化物层,所述氧化物层与所述金属层之间设有掺B多晶硅层;PERC电池背表面镀膜后,不需要额外增加激光开孔工艺,就可以实现带有镀膜层的...
该专利属于苏州腾晖光伏技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州腾晖光伏技术有限公司授权不得商用。
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