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本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有氧化层和位于氧化层之上的第一导电层；形成覆盖所述第一导电层和氧化层的第一绝缘层；在所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁，以覆...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。