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本发明提供了一种制备碳化硅超结二极管的方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗碳化硅材料2)在外延薄膜12上表面制备刻蚀碳化硅的掩膜层13；3)在掩膜层13上进行图形化制备出图形化的掩膜14，后进行碳化硅沟槽刻蚀；4)进行二次外延生长，生长碳化...
该专利属于全球能源互联网研究院;国家电网公司所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院;国家电网公司授权不得商用。

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