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本发明为一种半导体装置用基板，包含：基板；缓冲层，设置于该基板上且由氮化物半导体所构成；以及装置活性层，设置于该缓冲层上且自氮化物半导体所构成，其中该缓冲层具有：第一区域，含有碳与铁；以及第二区域，于该第一区域上，其铁的平均浓度低于该第一区...
该专利属于三垦电气股份有限公司;信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三垦电气股份有限公司;信越半导体株式会社授权不得商用。

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