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本发明公开薄膜及其制备方法与QLED器件，所述薄膜包括叠层设置的第一介质组成的第一介质层、第一金属组成的第一金属层、第二金属与第二介质形成的渐变层；自靠近第一金属层向远离第一金属层的方向上，所述第二介质的质量浓度由低到高。本发明所述薄膜中，...
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