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本发明提供一种IGBT器件及其制造方法，包括：半导体衬底；栅极结构，设置在所述半导体衬底的表面上，所述栅极结构包括设置在所述半导体衬底表面上的栅极介电层以及设置在所述栅极介电层表面上的栅极层，其中，所述栅极层具有第一导电类型；若干掺杂区，间...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。