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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片；形成覆盖所述鳍片的伪栅极材料层；对所述伪栅极材料层执行离子注入；对经离子注入的所述伪栅极材料层执行回流工艺，以使其顶部平坦；图案化所述伪栅极材料层，以形成...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。