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本发明属于光纤传感器测量领域，公开一种全光纤F‑P腔结构监测负压的传感器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）熔接，使用化学腐蚀法在单模光纤的一端通过进行化学腐蚀，并使用熔接机将单模光纤与另一单模光纤熔接；2）预紧放电，通过驱动熔接机的电...
该专利属于北京信息科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京信息科技大学授权不得商用。

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