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基于二噻吩并[3,2-b:2`,3`-d]吡咯的免掺杂空穴传输材料及合成方法技术
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下载基于二噻吩并[3,2-b:2`,3`-d]吡咯的免掺杂空穴传输材料及合成方法的技术资料
文档序号:21022907
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本发明公开了一种基于二噻吩并[3,2‑b:2`,3`‑d]吡咯的免掺杂空穴传输材料及合成方法。本发明方法合成步骤简单,整体制备成本低,可实现材料的大量合成;所发明的材料具有良好的溶解性和成膜性;紫外‑可见吸收光谱表明该空穴传输材料的光学带隙...
该专利属于南京理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京理工大学授权不得商用。
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