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一种功率半导体器件（1），包括具有第一导电类型的漂移区（100）的有源单元区（1‑2）；至少部分布置在有源单元区（1‑2）内的多个IGBT单元（1‑1），其中该IGBT单元（1‑1）中的每个包括沿着垂直方向（Z）延伸到漂移区（100）中的至...
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