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一种加工功率半导体器件（1）的方法（2）包括：提供具有第一导电类型的漂移区（100）的半导体本体（10）；创建（20）多个沟槽（14、15、16），其中该沟槽（14、15、16）沿着垂直方向（Z）延伸到半导体本体（10）中并且沿着第一横向方...
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