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本发明提供一种提升栅氧厚度均匀性的方法，包括：提供一晶圆，晶圆上分布有多个栅氧膜量测位置；以晶圆的圆心为极点建立极坐标系，将晶圆表面划分为多个区域，每个区域对应极坐标的一个半径值；每个区域分布有至少一个栅氧膜量测位置；提供用于加热晶圆的卤素...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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