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在一个实施方式中，半导体层序列(2)基于AlInGaN并且设置用于光电子半导体芯片(1)并且以所提出的顺序从n型传导的n型侧(20)起观察具有如下层：‑由AlGaN构成的前势垒层(21)，‑由InGaN构成的、具有第一带隙的前量子阱(23)...
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