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本发明为具有对内面具有氧化膜的贴合式SOI晶圆在氩氛围下实施热处理而使SOI层的表面平坦化的步骤，其中于通过批次式热处理炉而进行在该氩氛围下的热处理时，于收纳在该批次式热处理炉内的相邻的该贴合式SOI晶圆之间，配置硅晶圆作为挡片而进行热处理...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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