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本申请涉及包括通孔和多个金属层的半导体器件电阻器。在一个通常方面，装置可包括第一端子、第二端子以及在所述第一端子与所述第二端子之间延伸的电阻元件。所述电阻元件可包括与第一金属层的第一区段和第二金属层的第一区段接触的第一通孔，并且可包括与所述...
该专利属于半导体组件工业公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体组件工业公司授权不得商用。

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