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本发明公开了一种掺杂硼和钇离子的直流ZnO压敏电阻及其制备方法，属于电气元件材料领域。该方法的制备步骤包括将ZnO、Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Cr2O3、Co2O3、SiO2、B2O3和Ag2O按照一定比例混合，加入聚乙烯醇、分散剂...
该专利属于新疆大学;西安西电避雷器有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过新疆大学;西安西电避雷器有限责任公司授权不得商用。

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